L’année 2022 devrait être marquée par la mise en production des premiers composants électroniques gravés en 3 nm, après le 5 nm et le 4 nm que l’on va retrouver au coeur des SoC mobiles des smartphones premium d’ici quelques mois.
Le fondeur taiwanais TSMC veut une nouvelle fois aller très vite pour proposer ce noeud de gravure avant tout le monde (quitte à faire quelques concessions sur la technique en restant sur des transistors 3D FinFET dans un premier temps) pour conserver ses très gros clients, à commencer par Apple.
Selon le site Digitimes, le fondeur a lancé la phase de pré-production pour la gravure en 3 nm sur son site Fab 18 du Southern Taiwan Science Park, ce qui va lui permettre de valider les techniques de production avant de les mettre en service pour de la production en volume durant le second semestre 2022.
Les gains attendus sont de 10 à 15% en terme de performances à la même puissance, ou jusqu’à 30% de consommation d’énergie en moins à la même fréquence.
Production de masse fin 2022
Apple et Intel devraient faire partie des clients précoces, même si la prochaine génération de puces Apple Ax devrait rester sur un noeud de gravure supérieur l’an prochain, pour une question de timing entre le lancement de l’iPhone 14 et une production en volume suffisante en 3 nm.
Après cette première phase viendra la gravure N3E (N3 Extended) stabilisée et offrant de meilleurs rendements qui pourra être utilisée par un plus grand nombre d’acteurs, mais sans doute en 2023 / 2024, sachant qu’il est déjà question de descendre à 2 nm d’ici 2025.
Le grand concurrent Samsung n’est pas en reste et prépare aussi sa technique de gravure en 3 nm mais il devrait mettre un peu plus de temps pour la finaliser en s’appuyant dès le début vers une nouvelle technologie de transistor dit GAAFET, et dans son cas particulier MBCFET (Multi-Bridge Channel FET).
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