Le fondeur TSMC s’est placé en leader du marché des semiconducteurs en devançant ses concurrents sur les noeuds de gravure, lui permettant de proposer des capacités de production plusieurs mois avant les autres et de capter puis maintenir les plus gros clients dans son giron.
Le groupe taiwanais s’est ainsi imposé avec la gravure en 7 nm, suivie de celle en 5 nm. Déjà, il annonce une gravure en 3 nm à partir de 2022 et anticipe déjà de descendre encore plus bas.
En face, le groupe coréen Samsung déploie de gros moyens financiers pour tenter de prendre la première place mondiale d’ici 2030 mais peine pour le moment à tenir la cadence imposée par la firme taiwanaise et à récupérer les très gros contrats qui rentabilisent les énormes dépenses initiales en R&D.
TSMC ne lâche pas le morceau non plus et s’attaque désormais aux travaux de la gravure en 1 nm. Un article de Nature indique que la firme a réalisé des avancées en collaboration avec le MIT (Massaschussetts Institute of Technology) et la NTU (National Taiwan University).
L’idée pour surmonter les limitations imposées par une gravure si fine repose sur l’utilisation de bismuth comme interface des points de contact des transistors, au lieu du tungstène pour TSMC ou du cobalt pour Intel, avec une technique de lithographie avancée.
Ces travaux qui préparent le terrain de la gravure en 1 nm viennent en écho de l’annonce d’IBM sur le développement d’une technique de gravure en 2 nm qui ne sera disponible que d’ici deux ou trois ans mais dont les techniques pourront être proposées sous licence à des acteurs comme Samsung ou Intel.
En posant les bases d’une gravure en 1 nm, TSMC va sans doute de nouveau tenter de prendre les devants pour maintenir sa position de leader, poussé en cela par les autorités taiwanaises qui en ont fait un enjeu stratégique national.
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